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西电英才
韩根全 教授

教授,博士生导师,“华山学者”菁英计划引进人才。19794出生,毕业于清华大学材料科学与工程系,在中国科学院半导体所获博士学位。长期在半导体材料、器件研制方面从事科研和教学工作,积累了丰富的经验,取得了国际领先的研究成果。在高迁移率非硅沟道CMOS器件方面取得多项突破性进展,包括创新实现高性能应变锗、锗锡、铟镓砷MOSFET器件和隧穿晶体管器件;获得锗锡空穴迁移率国际最高纪录等。相关研究内容多次被著名网络杂志Semiconductor-today专门报道。国家自然科学基金委优秀青年科学基金、入选陕西省“百人计划”。

发表研究论文90多篇,申请专利20余项。受邀在国际会议作邀请报告6次,并担任国际会议分会主席。

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